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產品中心
激光器產品
產品參數 DFB 外延片 EML 外延片 FP 外延片
速率 2.5G/10G/25G 10G/25G/56G 2.5G/10G/25G
波長 1270nm/1310nm/1490nm/1550nm 1310nm/1550nm/1577nm 1310nm/1550nm
尺寸 2inch/3inch 2inch/3inch 2inch/3inch
產品特色 GPONXGPONXGSPON、BIDI
光柵工藝(全息光柵、電子束曝光、納米壓印)
SAG和Butt joint工藝 小發散角
產品說明   半導體激光器包括DFB、EML和FP等三大類,覆蓋波長從1270nm到1610nm,應用于GPON、XGPON、XGSPON、FTTR、CWDM/DWDM、BIDI等光通信網絡。全磊光電擁有零缺陷外延生長工藝和百納米級光柵平臺,激光器外延片已量產多年,產品良率高、可靠性好。全磊光電還擁有含Al材料側向掩埋工藝和耦合異質對接生長工藝,可滿足不同應用產品的制造需求。
探測器產品
產品參數 APD 外延片 PIN 外延片 MPD 外延片
速率 2.5G/10G/25G 2.5G/10G/25G/50G
尺寸 2inch/3inch/4inch 2inch/3inch/4inch 2inch/3inch/4inch
產品特色 Zn擴散工藝
低暗電流 Zn擴散工藝
產品說明   半導體探測器包括APD、PIN和MPD三大類,覆蓋波長從650nm-1700nm,GPON、XGPON、XGSPON等光網絡皆適用。PD的工作原理為(1)探測器PN結形成內建電場;(2)光入射到半導體內產生電子空穴對,并在電場作用下定向流動而產生光電流;(3)光電流導出為輸出信號。探測器通常需要針對工作波長具有高的靈敏度,高響應速率、低的暗電流和高可靠度。APD是在PD的基礎上采用雪崩倍增效應,將接收到的光電流放大,提升探測靈敏度。全磊光電PD及APD探測器產品已穩定量產多年,且可為客戶提供Zn擴散服務。


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